根据美国《旧金山纪事报》（San Francisco Chronicle）11月7日发出的讣告，著名半导体器件专家、闪存技术发明者、半导体界大师级教授施敏（Simon M·Sze），在美国当地时间11月6日安祥离世，享年87岁。

讣告中称，他的非凡一生以及对电子和半导体器件世界的贡献，将被铭记和珍惜。

《旧金山纪事报》讣告页面截图

施敏系中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士，他在金属半导体接触、微波器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件及微电子工艺等技术领域都有奠基性与开创性的贡献。

尤其是他与另一位韩裔同事姜大元（Dawon Kahng）博士发明的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，它是如今闪存（NAND Flash）技术的基础，被认为是全球半导体产业3个重大发明之一。

NVSM的问世，促成了功能更为强大的信息储存技术的发展，它们应用广泛，人类受益无穷。

中国工程院院士馆对施敏的介绍

施敏于1936年3月出生于中国南京，之后随家人前往中国台湾。

1957年，他从台湾大学电机系毕业后赴美留学，并于1960年获得华盛顿大学电机系硕士学位。

1963年，施敏获得斯坦福大学电机系博士学位，博士毕业后，他在斯坦福大学教授John Moll推荐下进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。

值得一提的是，他与台积电创始人张忠谋师出同门，都是John Moll教授的学生。

进入贝尔实验室后，施敏展现出卓越的科研实力，从1963年到1972年，他每年发表的论文超过10篇。

1967年，他在与韩裔同事姜大元吃一个四层蛋糕时，突发灵感，想到在金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）的栅结构模型中间加一层金属层，是不是就可以实现非挥发性存储，断电后资料也不会消失。随后，他们的第一次试验就取得了成功。

施敏在一次采访中回忆NVSM的发明过程

同年5月，他们在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表了第1篇关于NVSM的论文《浮闸非挥发性半导体内存单元元件》。但这项技术在当时被认为没用，未引起太大关注。

直到20世纪90年代之后，数码时代逐渐到来，曾经被忽视的NVSM被发现非常有用，这才开始大放异彩。

根据统计，2006年的NVSM出货量已经超越DRAM，NVSM成为世界芯片产业的主导产品之一，是手机、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。

2017年，施敏院士与摩尔定律之父戈登·摩尔（Gordon E Moore）共同获得IEEE Celebrated Member称号，目前全球仅9位科学家获此殊荣。

除了技术上的不凡成就外，施敏教授还是半导体领域著作等身、桃李满天下的教育家。

他一生中撰写了多部开创性书籍，其中1969年所出版的《半导体器件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）一书，是工程和应用科学领域的三部经典专著之一，被誉为半导体界的“圣经”。

该书已被翻译成6国文字，发行量达600万册，已经被引用47500余次，成为全球半导体和集成电路研究人员的“必学”之书，被世界各大高校广泛用作教科书与参考书，一代又一代的工程师和科学家从中受益。

不会打字的施敏，用纯手写的方式完成了这本书的撰写（图源：B站未来论坛）

事实上，施敏的著作于20世纪70年年代就被引入中国大陆，对中国大陆半导体科研和产业界产生了很大的指导作用。北京大学微电子所长王阳元认为：“搞半导体的，鲜有不知施敏的。”

施敏教过的学生逾万人，并深受众多中国学生喜爱。他曾一再表示自己愿意为中国微电子产业的发展提供咨询。

2003年以来，施敏相继在中国内地高校，包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、电子科技大学、苏州大学、安徽大学等14所高校讲授课程，他开设的课程为“半导体物理和设备”，该课程主要是为了培养